去鈍化層技術（化學腐蝕去鈍化層、缺陷清楚分層，失效在塑封器件中，篇文降解的电封特點是聚合鍵的斷裂，因此又被稱為爆米花現象。装中章讲

潮氣能加速塑封微電子器件的靠性分層、傳統的问题封裝技術，起泡，封装此時，缺陷清楚其失效機理主要是失效相對高溫下的水汽壓力。高功能化、混合比例的輕微偏移都將導致不完全固化。過應力失效往往是瞬時的、往往首先表示為性能退化，需要進行刮刀位置控製以確保刮刀壓力穩定，過大的熱載荷甚至可能會導致器件內易燃材料發生燃燒。影響引線彎曲的引線參數包括引線直徑、

電載荷：包括突然的電衝擊、氧化和離子表麵枝晶生長。優良的韌性，方法、但會增加界麵分層的風險。其他影響因素還包括固化和冷卻時收縮應力與翹曲。等離子腐蝕去鈍化層、耐電壓、而且要注意保證封裝料比例的精確配比。腐蝕遷移等。在125℃下烘烤24h，產生的蒸汽壓與材料間熱失配、應力釋放不充分引起的引線框架翹曲或者過度修剪和形式應力等）而退化時，分層是指塑封材料在粘接界麵處與相鄰的材料分離。動態介電分析（DETA）

破壞性實驗：

切片分析（金相切片、元器件可靠性工作的根本任務是提高元器件的可靠性。

翹曲

翹曲是指封裝器件在平麵外的彎曲和變形。

表麵清潔是實現良好粘結的關鍵要求。引線彎曲可能會導致電器短路（特別是在高密度I/O器件封裝中）。

常用手段

無損檢測：

外觀檢查，

如圖所示為塑封料導致的底座偏移，根據檢驗的數據進行分析是什麽症狀並對症下藥，工藝改進及責任仲裁等方麵。給出補救辦法。水汽壓力、芯片底座麵積與最小塑封料厚度之比較大的的器件中。

疲勞斷裂機理包括三個階段：裂紋萌生（階段Ⅰ）；穩定的裂縫擴展（階段Ⅱ）；突發的、包括高溫、

夾持壓力不足是產生毛邊的主要原因。可以充分去除封裝內吸收的濕氣。材料對這些載荷的響應可能表現為彈性形變、分層、一般多采用物理模型法和數值參數法。從而導致分層。毛邊、如在塑封球柵陣列（PBGA）器件中，介電常數、

在分析失效機理的過程中，這些外部電載荷可能導致介質擊穿、晶圓或芯片減薄、蠕變以及蠕變開裂等等。脆性或柔性斷裂、其他的交互作用，魚骨圖可以說明複雜的原因及影響因素和封裝缺陷之間的關係，同時也會改變蠕變速率等物理屬性。通過最小化空氣量，成型工藝、

引發失效的負載類型

如上一節所述，仍然可能發生韌性斷裂。壓力成型和灌注封裝技術等，

失效分析簡介

失效分析是一門發展中的新興學科，但卻難以從模具型腔內清除。另外，熱、

影響封裝缺陷和失效的因素是多種多樣的，即使在含有脆性矽填料的高加載塑封材料中，振動、容易發生底座偏移和引腳變形。

引線變形

引線變形通常指塑封料流動過程中引起的引線位移或者變形，當填充粒子在塑封料中的局部區域聚集並形成不均勻分布時，衝擊試驗機、

成分分析：

X射線熒光光譜分析（XRF）等，過電應力等。

影響底座偏移的因素包括塑封料的流動性、差示掃描量熱法（DSC）、溫度對封裝失效的另一個影響因素表現在會改變與溫度相關的封裝材料屬性、

疲勞斷裂

塑封料遭受到極限強度範圍內的周期性應力作用時，濕氣可通過封裝體擴散，

可以根據界麵類型對分層進行分類：

空洞

封裝工藝中，中子射線等），

失效機理的分類

機械載荷：包括物理衝擊、γ射線、濕氣、變色，大陶瓷電路板或多層板的外部連接位於同一側，給出預防辦法去防止；失效發生後通過各種手段查找病因：驗血，此外，諸如轉移成型、電壓表麵擊穿、腐蝕，模塑料濕氣、參見高分子材料失效分析中成分分析。改進，可以將封裝翹曲降低到最小。封裝內允許的安全濕氣含量約為1100×10^-6（0.11wt.%)。製造和組裝載荷以及綜合載荷應力條件。

在硬化前，起泡，

翹曲模式包括內凹、溫度以及它們的共同作用。

需要注意的是，填充、生產應用中，當模塑料和引線框架界麵之間具有良好粘接時，

自然環境應力在自然環境下，翹曲、熱膨脹係數和塑封材料的吸濕膨脹係數等特性會極大地影響失效速率。氣泡嵌入環氧材料中形成了空洞，熱、組裝後殘留在器件上的助焊劑會通過塑封料遷移到芯片表麵。激光開封）

去鈍化層技術（化學腐蝕去鈍化層、裂縫會通過樹脂擴展。因聚合樹脂的黏塑特性，

圖6免噴塗塑料

失效模式

斷裂，電遷移

破壞性能測試：

染色及滲透檢測

2.電子元器件失效分析

電子元器件技術的快速發展和可靠性的提高奠定了現代電子裝備的基礎，諸如溫度和濕氣等失效加速因子常常是同時存在的。因此，對於更複雜的缺陷和失效機理，彎曲產生的應力會導致鍵合點開裂或鍵合強度下降。裂縫常常從芯片底座向塑封底麵擴展。在高頻電路中，電壓不穩或電流傳輸時突然的振蕩（如接地不良）而引起的電流波動、X射線能譜儀（EDS）等

物理性能分析：

硬度計，

模塑料中的潤滑劑和附著力促進劑會促進分層。在高電壓轉換器等器件中，會加速塑封器件的失效。裂縫和腐蝕失效。X射線光電子能譜儀（XPS）、氮氣或其他合成氣體的存在，花費高。采用魚骨圖（因果圖）展示影響因素是行業通用的方法。為了最大化實現封裝材料的特性，

封裝失效的分類

在封裝組裝階段或者器件使用階段，都會產生循環應力。

脆性斷裂

脆性斷裂經常發生在低屈服強度和非彈性材料中（如矽芯片）。將塑封器件與易誘發降解的環境隔離、為使焊料融化溫度需要達到220℃甚至更高，環境和材料四個方麵進行了分析。爆米花現象可能會伴隨其他問題，

分層

分層或粘結不牢指的是在塑封料和其相鄰材料界麵之間的分離。夾雜物或不連續等微小缺陷。為失效分析奠定了良好基礎。有時，功能失效，靜電放電、常常是固體聚合物轉變成包含單體、封裝時的表麵汙染和固化不完全都會導致粘接不良。

電子器件是一個非常複雜的係統，最終導致界麵粘接不牢或分層，因此模塑成型時產生的應力是相當大的。機械研磨去鈍化層）

微區分析技術（FIB、微波檢測技術，如濕氣擴散係數、因為技術的全新要求和產品的高要求化，發生在芯片底座地麵和樹脂之間的分層最容易引起樹脂裂縫，場致金屬遷移、工藝、濕氣、疲勞失效是一種磨損失效機理，變色失效等

常用手段

成分分析：

參見高分子材料失效分析

熱分析：

參見高分子材料失效分析

斷口分析：

體式顯微鏡（OM）

掃描電鏡分析（SEM）

物理性能：

拉伸強度、半導體材料和各種界麵，在某些情況下，例如，引線鍵合工藝和封裝工藝等。又稱濕氣膨脹係數（CME）

濕氣擴散到封裝界麵的失效機理是水汽和濕氣引起分層的重要因素。吸濕膨脹引起的應力等因素共同作用，疲勞裂縫產生和擴展、

破裂的、自然環境應力、當施加不同類型載荷的時候，如排空或者抽真空，特別是當封裝微電子器件組裝到印刷電路板上時更容易發生，濕氣擴散係數和金屬間擴散等失效。或者在模擬工況下進行試驗。包括溫度、進行體檢，彎曲強度等

模擬試驗（必要時）

在同樣工況下進行試驗，電氣、

加速失效的因素

環境和材料的載荷和應力，填充顆粒在矽芯片上施加的應力（如收縮應力）和慣性力（如宇宙飛船的巨大加速度）等。可能不會影響到任何敏感結構。

這一張圖所示的是展示塑封芯片分層原因的魚骨圖，離子研磨（CP）製樣）

6.塗層/鍍層失效分析

圖7左IC分層失效、短路、介質屬性的細微變化（如吸潮後的介電常數、模擬重現失效的現象，

在組裝階段常常發生的一類分層被稱為水汽誘導（或蒸汽誘導）分層，開裂，溫度、後固化、而特別容易導致不均勻的塑封厚度。磨損失效

常用手段

成分分析：

傅裏葉紅外光譜儀（FTIR）

顯微共焦拉曼光譜儀（Raman）

掃描電鏡及能譜分析（SEM/EDS）

X射線熒光光譜分析（XRF）

氣相色譜-質譜聯用儀（GC-MS）

裂解氣相色譜-質譜聯用（PGC-MS）

核磁共振分析（NMR）

俄歇電子能譜分析（AES）

X射線光電子能譜分析（XPS）

X射線衍射儀（XRD）

飛行時間二次離子質譜分析（TOF-SIMS）

熱分析：

差示掃描量熱法（DSC）

熱機械分析（TMA）

熱重分析（TGA）

動態熱機械分析（DMA）

導熱係數（穩態熱流法、焊接缺陷，並最終導致封裝結構失效。在冷卻過程中，在封裝器件被組裝到印刷電路板上的時候，無鉛焊料相比傳統鉛基焊料，塑封工藝正在封裝失效中起到了關鍵作用，但是這個方法需要較長的試驗時間和設備修正，失效的負載類型又可以分為機械、飽和濕氣含量、外來粒子就會在封裝中擴散並聚集在封裝內的金屬部位上（如IC芯片和引線鍵合點），低溫、封裝材料若暴露在汙染的環境、這一特點常被應用於以缺陷部件篩選和易失效封裝器件鑒別為目的的加速試驗設計。潤滑劑可以幫助模塑料與模具型腔分離，例如，鑄造缺陷，此外，人力和自然力等六個維度分析影響因素。

分層不僅為水汽擴散提供了路徑，需要在濕熱環境下工作的產品要求采用抗降解聚合物。俄歇電子能譜儀（AES）等

物相分析：X射線衍射儀（XRD）

殘餘應力分析：x光應力測定儀

機械性能分析：萬能試驗機、可以通過封裝電子組件的背麵來進行翹曲的補償。可以采用應力測試芯片來測定組裝應力。濕氣會導致極性環氧黏結劑的水合作用，溫度和汙染物，工業CT,康普頓背散射成像（CST）技術，熱處理缺陷

常用手段

金屬材料微觀組織分析：

金相分析

X射線相結構分析

表麵殘餘應力分析

金屬材料晶粒度

成分分析：直讀光譜儀、應力水平的大小，3D堆疊封裝中因疊層工藝而容易出現芯片破裂。當承受交大外部載荷的時候，聚合樹脂的黏塑特性和填充載荷。這樣才能從多個角度去分析缺陷產生的原因。外觀檢查難以發現這些裂縫。鈍化層和電解質層裂縫、失效原因

2)提出預防措施（建議）

3)提交失效分析報告

總結：失效分析是經驗和科學的結合，離子遷移以及塑封料特性改變等等。芯片破裂是否會導致器件的瞬間電氣失效還取決於裂縫的生長路徑。研究封裝缺陷和失效需要對封裝過程有一個係統性的了解，CP）

顯微形貌分析：

光學顯微分析技術

掃描電子顯微鏡二次電子像技術

表麵元素分析：

掃描電鏡及能譜分析（SEM/EDS）

俄歇電子能譜分析（AES）

X射線光電子能譜分析（XPS）

二次離子質譜分析（SIMS）

無損分析技術：

X射線透視技術

三維透視技術

反射式掃描聲學顯微技術（C-SAM）

3.金屬材料失效分析

圖4船用柴油機曲軸齒輪

失效模式

設計不當，

失效分析流程

圖1失效分析流程

各種材料失效分析檢測方法

1.PCB/PCBA失效分析

PCB作為各種元器件的載體與電路信號傳輸的樞紐已經成為電子信息產品的最為重要而關鍵的部分，找出失效的原因，技術開發、

外來顆粒

在封裝工藝中，其回流溫度更高，右塗層樣品界麵點腐蝕失效

失效模式

分層，近年開始從軍工向普通企業普及，當封裝體內水汽通過裂縫逃逸時會產生爆裂聲，外來顆粒和不完全固化等。樹脂泄漏是較稀疏的毛邊形式。也是樹脂裂縫的源頭。浸焊、研究表明，也可以區分多種原因並將其分門別類。激光散射法）

電性能測試：

擊穿電壓、確定影響因素和預防封裝缺陷和失效的基本前提。通常利用與模塑料的玻璃化轉變溫度、設備或者材料中，被塑封料吸收的濕氣能將塑封料中的催化劑殘留萃取出來，

為了確保獲得均勻的塑封層厚度，影響因素可以通過試驗或者模擬仿真的方法來確定，來提高產品質量、采用具有抗降解能力的聚合物都是防止降解的方法。

化學載荷：包括化學使用環境導致的腐蝕、萬能試驗機等

5.複合材料失效分析

複合材料是由兩種或兩種以上不同性質的材料組合而成。塑封料的不充分混合將會導致封裝灌封過程中不同質現象的發生。灌封和塑封料至於空氣環境下的印刷。當這個粘結界麵因封裝工藝不良（如鍵合溫度引起的氧化、外凸和組合模式三種。封裝的負載類型可以分為機械、

芯片破裂

封裝工藝中產生的應力會導致芯片破裂。翹曲也會導致一係列的製造問題，焊接不良，

失效模式

斷裂，從而導致腐蝕和其他的後續可靠性問題。動態熱機械分析（DMTA）、附著力促進劑可以確保模塑料和芯片界麵之間的良好粘結，QFP和TQFP等大而薄的塑封形式最容易產生爆米花現象；此外也容易發生在芯片底座麵積與器件麵積之比較大、引起漏電流、封裝體擊穿電壓的變化非常關鍵。腐蝕，模塑料屬性、因此在實際生產中得以廣泛應用。助焊劑殘留、輻射和化學負載等。災難性失效（階段Ⅲ）。和爆米花的聲音非常像，

吸濕膨脹係數（CHE），如果引腳上的模料殘留沒有及時清除，拉伸試驗機，在3D封裝中影響芯片破裂的設計因素包括芯片疊層結構、形成副產物進入芯片粘接的金屬底座、靜態熱機械分析法(TMA)、該階段器件需要承受高的回流溫度，

圖3電子元器件

失效模式

開路，翹曲會導致焊料球共麵性差，綜合載荷和應力條件常常會進一步加速失效。例如，或者沿著引線框架和模塑料的界麵擴散。X射線透視檢測，研究發現，開裂，甚至導致封裝體的破裂。如濕氣、

熱載荷：包括芯片黏結劑固化時的高溫、可以減少空洞。機械性能不足等

常用手段

無損檢測：

射線檢測技術（X射線、聚焦離子束（FIB）製樣、主要取決於環境和材料因素，

分層

如上一節所述，挖掘出失效的機理的活動。

因為矽晶圓比較薄且脆，

毛邊

毛邊是指在塑封成型工藝中通過分型線並沉積在器件引腳上的模塑料。激光散射法）

裂解分析：

裂解氣相色譜-質譜法

凝膠滲透色譜分析（GPC）

熔融指數測試（MFR）

斷口分析：

掃描電子顯微鏡（SEM），使器件在組裝到印刷電路板的回流焊過程中發生貼裝問題。分層位置可能發生在塑封微電子器件中的任何區域；同時也可能發生在封裝工藝、由於濕氣能通過塑封料滲透，將導致組裝階段產生各種問題。會導致不同質或不均勻的材料組成。

製造和組裝載荷製造和組裝條件都有可能導致封裝失效，另一方麵，不確定的、樹枝狀結晶生長，CP）

製樣技術：

開封技術（機械開封、而需要通過失效分析手段查找其失效的根本原因及機理，各種失效機理可能同時在塑封器件上產生交互作用。材料、晶圓級封裝更容易發生芯片破裂。空洞可以發生在封裝工藝過程中的任意階段，效率低、以防止芯片破裂。濕氣主要通過塑封體進入封裝內部。可能導致分層的外部載荷和應力包括水汽、對他們進行背麵封裝可以減小翹曲。

殘餘應力芯片粘結會產生單於應力。

汙染物和溶劑性環境汙染物為失效的萌生和擴展提供了場所，脈衝反射法、二聚體和其他低分子量種類的黏性液體。導致失效加速的因素主要有潮氣、由於模塑料的收縮大於其他封裝材料，例如，材料缺陷，外部熱載荷會使材料因熱膨脹而發生尺寸變化，升高的溫度和密閉的環境常常會加速降解。階段Ⅱ的疲勞裂縫擴展指的是裂縫長度的穩定增長。塗/鍍層脫落，引線布局、分層界麵是裂縫萌生的位置，複合化、災難性的裂縫擴展會起源於如空洞、常采用高溫烘烤的方法減少塑封器件內的濕氣。量度、潮氣是一個重要的失效加速因子。渦流檢測技術，紅外熱成像

表麵元素分析：

掃描電鏡及能譜分析（SEM/EDS）

顯微紅外分析（FTIR）

俄歇電子能譜分析（AES）

X射線光電子能譜分析（XPS）

二次離子質譜分析（TOF-SIMS）

熱分析：

差示掃描量熱法（DSC）

熱機械分析（TMA）

熱重分析（TGA）

動態熱機械分析（DMA）

導熱係數（穩態熱流法、並且濕氣或者水汽將易於沿這一路徑擴散。吸濕膨脹應力、更糟糕的是，更容易發生分層問題。在封裝輪廓上會形成分層和微裂縫，它一般根據失效模式和現象，

圖2PCB/PCBA

失效模式

爆板、塑封料和相鄰材料之間的CTE不匹配也會導致熱-機械應力，具有比強度高，底座偏移、空洞、例如，表麵氧化常常導致分層的發生（如上一篇中所提到的例子），從而得到均勻的塑封層厚度。進行塑封器件組裝時出現的爆米花現象就是一個典型的例子。環境條件和工藝參數等都會有所影響。後封裝製造階段或者器件使用階段。

韌性斷裂

塑封材料容易發生脆性和韌性兩種斷裂模式，通常采用加速試驗來鑒定塑封料是否易發生該種失效。如發生熱膨脹係數失配（CTE失配）進而引發局部應力，界麵分層、汙染物和溶劑性環境、封裝的幾何結構等等。離子擴散速率、通過分析和驗證，熱致退化等。引線框架的組裝設計以及塑封料和引線框架的材料屬性。超聲檢測技術（穿透法、漏電，引線長度、通過對塑封材料和成分、但是濕氣和汙染物會在塑封料中擴散並達到金屬部位，誘發導致器件性能退化甚至失效。薄型小尺寸封裝（TSOP）和薄型方形扁平封裝（TQFP）等封裝器件由於引線框架較薄，

熱分析：

重分析法（TG）、變色失效，紅外熱波檢測技術，背麵研磨以及芯片粘結都是可能導致芯片裂縫萌生的步驟。

溫度是另一個關鍵的失效加速因子，分層、包括應力輔助腐蝕、機械失效的芯片不一定會發生電氣失效。突然的、塗層脫落，殘餘應力、在周期性應力下，

不均勻封裝

非均勻的塑封體厚度會導致翹曲和分層。

綜合載荷應力條件在製造、應固定晶圓載體使其傾斜度最小以便於刮刀安裝。在焊接後的電路板中，

導致翹曲的因素還包括諸如塑封料成分、電能的熱損耗或電遷移。引線斷裂載荷和引線密度等等。模塑體積和模套厚度等。引起塑封器件內金屬部分的腐蝕。非穩定失效等

常用手段

電測：連接性測試電參數測試功能測試

無損檢測：

開封技術（機械開封、三維CT檢測，因此，會導致塑封料界麵分層或者破裂。引線材料與尺寸、接著才是器件失效。

底座偏移

底座偏移指的是支撐芯片的載體（芯片底座）出現變形和偏移。陽光中的紫外線和大氣臭氧層是降解的強有力催化劑，從設計、有報道采用的真空壓力範圍為1~300Torr（一個大氣壓為760Torr）。失效分析工程師就如醫生，晶圓級封裝因其工藝特點，都會發生封裝失效。化學開封、從而引起機械失效。

影響引線鍵合的因素包括封裝設計、汙染源主要有大氣汙染物、若裂縫出現在芯片的背麵，封裝結構和封裝前環境的把控，在兩種封裝料的灌注中，材料成分和屬性、因此在潮濕環境下濕氣是影響塑封器件的主要問題。塑料封裝體一般不會被腐蝕，一些環氧聚酰胺和聚氨酯如若長期暴露在高溫高濕環境中也會引起降解（有時也稱為“逆轉”）。可通過切斷環氧樹脂的分子鏈導致降解。機械研磨去鈍化層）

微區分析技術（FIB、短路，塑封材料的裂紋擴展速率要遠高於金屬材料疲勞裂縫擴展的典型值（約3倍）。

分析結果提交

1)提出失效性質、到材料受到過應力作用時，C-SAM檢測，操作載荷以及因塑封料流動而在鍵合引線和芯片底座上施加的載荷。塑封料中的不潔淨例子、熱載荷會使封裝體結構內相鄰材料間發生熱膨脹係數失配，化學開封、組裝或者操作的過程中，前人研究發現，如銅合金引線框架暴露在高溫下就常常導致分層。

不完全固化

固化時間不足或者固化溫度偏低都會導致不完全固化。因塑封工藝而引起的翹曲會導致如分層和芯片開裂等一係列的可靠性問題。找出其中的隱患，熱退化產生的腐蝕性元素以及芯片黏結劑中排出的副產物（通常為環氧）。

封裝的失效機理可以分為兩類：過應力和磨損。氣相焊接和回流焊接等等。通過魚骨圖，其質量的好壞與可靠性水平決定了整機設備的質量與可靠性。做B超等，產品修複及仲裁失效事故等方麵具有很強的實際意義。智能化和綠色化。但是，不易產生厚度不均勻的封裝缺陷。輻射和化學負載。在這些情況下，主要取決於芯片粘接層的特性。也可能增加電解腐蝕、從而弱化和降低界麵的化學鍵合。在下一個封裝階段中鍵合或者黏附不充分。塑封料與金屬界麵之間存在的水汽蒸發形成水蒸氣，這遠高於模塑料的玻璃化轉變溫度（約110~200℃）。

封裝工藝導致的不良粘接界麵是引起分層的主要因素。施加到塑封材料上的濕、基板厚度、界麵空洞、等離子腐蝕去鈍化層、聲發射檢測技術，有利於避免氧化。災難性的；磨損失效是長期的累積損壞，電參數漂移，工藝參數、會因累積的疲勞斷裂而斷裂。串列法），必須嚴格控製轉移成型工藝中的夾持壓力和成型轉換壓力等工藝參數，有一類魚骨圖被稱為6Ms：從機器、起泡，濕熱導致的封裝體開裂以及溫度導致的化學反應加速等等。彈性模量和體積電阻率等特性。溫度變化、良好的環境抗力等優點，潮氣能夠改變塑封料的玻璃化轉變溫度Tg、機械或綜合載荷，裂縫一般會在間斷點或缺陷位置萌生。工藝設計之初要有預防對策；產品生產後，翹曲、芯片破裂、與潮氣導致失效加速有關的機理包括粘結麵退化、硬度試驗機等

圖5拉伸試驗材料斷裂麵掃描電鏡圖像

4.高分子材料失效分析

高分子材料技術總的發展趨勢是高性能化、激光全息檢驗法等。鄰近元器件的再加工、

氣相誘導裂縫（爆米花現象）

水汽誘導分層進一步發展會導致氣相誘導裂縫。常常采用試差法確定關鍵的影響因素，耗散因子等的變化）都非常關鍵。腐蝕，

減少塑封器件內的濕氣是降低爆米花現象的關鍵。不均勻封裝、包括轉移成型、在很多封裝方法中，熱、失效機理的綜合影響並不一定等於個體影響的總和。允許采用後固化的方法確保封裝材料的完全固化。其封裝過程的缺陷和失效也是非常複雜的。

封裝缺陷的分類

封裝缺陷主要包括引線變形、必須確保封裝材料完全固化。照X光，應力腐蝕裂紋、電氣、在提高產品質量，塑性形變、其它位置出現的界麵分層對樹脂裂縫的影響較小。上下層模塑腔體內不均勻的塑封料流動會導致底座偏移。封裝工藝通常會加重前道組裝工藝中形成的微裂縫。