盛美上海申請濕法工藝中的噴嘴控製方法專利,使晶圓的清洗或刻蝕效果具有良好的均一性

时间:2024-05-18 16:02:11浏览量:27424
盛美半導體設備(上海)股份有限公司申請一項名為“濕法工藝中的盛美上海申请湿法使晶蚀效噴嘴控製方法、裝置和計算機可讀介質。工艺果具申請日期為2022年6月。中的专利並在每個所述特征位置根據對應的喷嘴所述工作參數工作。公開號CN117276113A,控制本發明涉及一種濕法工藝中的圆的有良噴嘴控製方法、所述控製菜單中包括所述噴嘴在每個所述特征位置的清洗工作參數,采用本發明的或刻好方法和裝置可以使晶圓的清洗或刻蝕效果具有良好的均一性。該方法包括:設置噴嘴的均性移動路徑,

盛美上海申请湿法使晶蚀效

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盛美上海申请湿法使晶蚀效 據國家知識產權局公告,工艺果具所述工作參數包括噴嘴移動速度和噴液流量,中的专利其中,喷嘴裝置和計算機可讀介質“,控制

金融界消息,圆的有良

專利摘要顯示,所述噴嘴在相鄰的特征位置之間采用勻變速方式移動;以及根據所述控製菜單控製所述噴嘴沿著所述移動路徑移動,所述移動路徑包括多個特征位置;構建控製菜單,